Canal N Montaje en superficie 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) PG-TSDSON-8
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BSZ130N03MSGATMA1

N.º de producto de DigiKey
BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
BSZ130N03MSGATMA1
Descripción
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
BSZ130N03MSGATMA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1300 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ130
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Cantidad
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Cinta cortada (CT)
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10,86000 €0,86 €
100,53600 €5,36 €
1000,35010 €35,01 €
5000,27014 €135,07 €
1.0000,24440 €244,40 €
Precio unitario sin IVA:0,86000 €
Precio unitario con IVA:1,04060 €
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