Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 0.3993 EUR
Availability: InStock

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BSZ100N03MSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ100N03MSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ100N03MSGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1700 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSZ100

Precio unitario sin IVA:	0,33000 €
Precio unitario con IVA:	0,39930 €

BSZ100N03MSGATMA1