Name: BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0904NSIATMA1TR-ND
Price: 1.1979 EUR
Availability: InStock

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BSZ0904NSIATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ0904NSIATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ0904NSIATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ0904NSIATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 18H (Ta), 40H (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ0904NSIATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1463 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Ta), 40H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4mOhm a 30A, 10V	Número de producto base BSZ0904