Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 1.5125 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) PG-TSDSON-8

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BSZ0901NSATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ0901NSATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ0901NSATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2850 pF @ 15 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 22A (Ta), 40A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base BSZ0901
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 20A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	0	BSZ019N03LSATMA1CT-ND	1,78000 €	MFR recomendado
FDMS8820	onsemi	5.176	FDMS8820CT-ND	1,67000 €	Similar

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Fecha de la última compra: 30/9/2026

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