Name: BSZ021N04LS6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ021N04LS6ATMA1TR-ND
Price: 1.3915 EUR
Availability: InStock

BSZ021N04LS6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSZ021N04LS6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSZ021N04LS6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSZ021N04LS6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ021N04LS6ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) PG-TSDSON-8-34
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ021N04LS6ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-34
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	BSZ021

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,68338 €	3.416,90 €
10.000	0,65792 €	6.579,20 €

Precio unitario sin IVA:	1,15000 €
Precio unitario con IVA:	1,39150 €

BSZ021N04LS6ATMA1