Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3509 EUR
Availability: InStock

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BSS806NEH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSS806NEH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSS806NEH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSS806NEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS806NEH6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) PG-SOT23
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS806NEH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	57mOhm a 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (máx) a Id	750mV a 11µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	529 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	BSS806