Name: BSS223PWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS223PWH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.2662 EUR
Availability: InStock

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BSS223PWH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSS223PWH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSS223PWH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSS223PWH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS223PWH6327XTSA1
Descripción	MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) PG-SOT323
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS223PWH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	390mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 390mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 1.5µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.62 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	56 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT323
Paquete / Caja (carcasa)	SC-70, SOT-323
Número de producto base	BSS223

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