Name: BSS139IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS139IXTSA1TR-ND
Price: 0.4477 EUR
Availability: InStock

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BSS139IXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSS139IXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSS139IXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSS139IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS139IXTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS139IXTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 56µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3