Name: BSP316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP316PH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0406 EUR
Availability: InStock

BSP316PH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP316PH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP316PH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP316PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP316PH6327XTSA1
Descripción	MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP316PH6327XTSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	680mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.8Ohm a 680mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 170µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	146 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	BSP316

Precio unitario sin IVA:	0,86000 €
Precio unitario con IVA:	1,04060 €

BSP316PH6327XTSA1