Name: BSP297H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP297H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.331 EUR
Availability: InStock

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BSP297H6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP297H6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP297H6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP297H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP297H6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP297H6327XTSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.1 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 357 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 660mA (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm a 660mA, 10V	Número de producto base BSP297
Vgs(th) (máx) a Id 1.8V a 400µA

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STN1NF20	STMicroelectronics	18.946	497-12273-1-ND	0,94000 €	Similar

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