Name: BSP171IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSP171IATMA1TR-ND
Price: 0.8954 EUR
Availability: InStock

BSP171IATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSP171IATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSP171IATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSP171IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP171IATMA1
Descripción	BSP171IATMA1
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 1.9A (Ta), 3.2A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) PG-SOT223-4-U01
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP171IATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	250mOhm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	550 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4-U01
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-3

Precio unitario sin IVA:	0,74000 €
Precio unitario con IVA:	0,89540 €

BSP171IATMA1