BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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BSO080P03SHXUMA1
N.º de producto de DigiKey	BSO080P03SHXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSO080P03SHXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSO080P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSO080P03SHXUMA1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 12.6 A (Ta) 1.79W (Ta) PG-DSO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSO080P03SHXUMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 136 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5890 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 1.79W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12.6 A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base BSO080
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8mOhm a 14.9A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FDS6673BZ	onsemi	6.590	FDS6673BZCT-ND	1,50000 €	Directo
RRH140P03GZETB	Rohm Semiconductor	497	RRH140P03GZETBCT-ND	2,79000 €	Similar
SI4425DDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	274	SI4425DDY-T1-GE3CT-ND	1,18000 €	Similar