Name: BSL202SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSL202SNH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.8228 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

BSL202SNH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSL202SNH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSL202SNH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSL202SNH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSL202SNH6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 7.5A (Ta) 2W (Ta) PG-TSOP6-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSL202SNH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1147 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSOP6-6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	BSL202