BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

BSC159N10LSFGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC159N10LSFGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC159N10LSFGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta), 63A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 72µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2500 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC159