Name: BSC093N15NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC093N15NS5SCATMA1TR-ND
Price: 5.082 EUR
Availability: InStock

BSC093N15NS5SCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC093N15NS5SCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC093N15NS5SCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC093N15NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC093N15NS5SCATMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) PG-TDSON-8-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC093N15NS5SCATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	87A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.3mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 107µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3230 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	4,20000 €
Precio unitario con IVA:	5,08200 €

BSC093N15NS5SCATMA1