BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

BSC046N02KSGAUMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC046N02KSGAUMA1
Descripción	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC046N02KSGAUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.6mOhm a 50A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 110µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4100 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC046

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,54363 €	2.718,15 €
10.000	0,51854 €	5.185,40 €

Precio unitario sin IVA:	1,90000 €
Precio unitario con IVA:	2,29900 €

BSC046N02KSGAUMA1