BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

BSC030N04NSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC030N04NSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC030N04NSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC030N04NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC030N04NSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC030N04NSGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 49µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4900 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC030

Precio unitario sin IVA:	1,33000 €
Precio unitario con IVA:	1,60930 €

BSC030N04NSGATMA1