BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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BSC025N03LSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC025N03LSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC025N03LSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC025N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC025N03LSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) PG-TDSON-8-5
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6100 pF @ 15 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25A (Ta), 100A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base BSC025
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.5mOhm a 30A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (6)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3.400	296-43635-1-ND	1,69000 €	Similar
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	2,04000 €	Similar
FDMS0306AS	onsemi	0	FDMS0306ASCT-ND	0,39841 €	Similar
PSMN2R5-30YL,115	Nexperia USA Inc.	936	1727-4164-1-ND	1,36000 €	Similar
RJK0346DPA-01#J0B	Renesas Electronics Corporation	4.604	559-RJK0346DPA-01#J0BCT-ND	3,19000 €	Similar