Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 5.6265 EUR
Availability: InStock

BSC019N08NS5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC019N08NS5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) PG-TSON-8-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC019N08NS5ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	28A (Ta), 237A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 146µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8600 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-3
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	4,65000 €
Precio unitario con IVA:	5,62650 €

BSC019N08NS5ATMA1