Name: BSC014N04LSTATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC014N04LSTATMA1TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: InStock

BSC014N04LSTATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC014N04LSTATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC014N04LSTATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC014N04LSTATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC014N04LSTATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 33A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) PG-TDSON-8 FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC014N04LSTATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6020 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8 FL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC014

Precio unitario sin IVA:	2,01000 €
Precio unitario con IVA:	2,43210 €

BSC014N04LSTATMA1