Name: IS15M7R1S1C
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS15M7R1S1CTR-ND
Price: 5.9895 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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IS15M7R1S1C
N.º de producto de DigiKey	6500-IS15M7R1S1CTR-ND - Cinta y rollo (TR) 6500-IS15M7R1S1CCT-ND - Cinta cortada (CT) 6500-IS15M7R1S1CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	iDEAL Semiconductor
Número de pieza del fabricante	IS15M7R1S1C
Descripción	MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 133H (Tc) 250W (Tc) 8-PDFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.4mOhm a 23A, 10V
Fabricante iDEAL Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 4.1V a 127µA
Serie SuperQ™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3893 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 133H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDFN (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerDFN