Name: GT800N10D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-GT800N10D3TR-ND
Price: 0.08361 EUR
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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GT800N10D3
N.º de producto de DigiKey	4822-GT800N10D3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT800N10D3
Descripción	MOSFET,N-CH,100V,7.5A,19W,DFN3*3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7.5A (Tc) 19W 8-DFN (3x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 3A, 10V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2150 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	19W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (3x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN