Name: GT250P10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT250P10T-ND
Price: 3.0734 EUR
Availability: InStock

GT250P10T
N.º de producto de DigiKey	3141-GT250P10T-ND
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT250P10T
Descripción	MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 100 V 56A (Tc) 173.6W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4059 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	173.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

Precio unitario sin IVA:	2,54000 €
Precio unitario con IVA:	3,07340 €

GT250P10T