Name: GT090P08M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT090P08MTR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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GT090P08M
N.º de producto de DigiKey	3141-GT090P08MTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT090P08MCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT090P08MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT090P08M
Descripción	MOSFET P-CH 80V 178A 490W TO-263
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 80 V 178A (Tc) 490W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	178A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11170 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	490W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB