Name: GT080N10K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT080N10KTR-ND
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

GT080N10K
N.º de producto de DigiKey	3141-GT080N10KTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT080N10KCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT080N10KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT080N10K
Descripción	N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 65A (Tc) 100W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2530 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Precio unitario sin IVA:	2,00000 €
Precio unitario con IVA:	2,42000 €

GT080N10K