Canal N Orificio pasante 100 V 116A (Tc) 160W (Tc) TO-220
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GT060N10T

N.º de producto de DigiKey
4822-GT060N10T-ND
Fabricante
Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante
GT060N10T
Descripción
MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 100 V 116A (Tc) 160W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Goford Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
116A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5365 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
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15.0000,50994 €7.649,10 €
30.0000,45555 €13.666,50 €
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