Name: GT060N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT060N10T-ND
Price: 3.1339 EUR
Availability: InStock

GT060N10T
N.º de producto de DigiKey	3141-GT060N10T-ND
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT060N10T
Descripción	MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 116A (Tc) 160W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	116A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5365 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

Precio unitario sin IVA:	2,59000 €
Precio unitario con IVA:	3,13390 €

GT060N10T