Name: GT020N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT020N10TLTR-ND
Price: 3.2791 EUR
Availability: InStock

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GT020N10TL
N.º de producto de DigiKey	3141-GT020N10TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT020N10TLCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT020N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT020N10TL
Descripción	MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 300A (Tc) 330W (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10800 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)	330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie