Name: G7P03D2
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G7P03D2TR-ND
Price: 0.5445 EUR
Availability: InStock

G7P03D2
N.º de producto de DigiKey	3141-G7P03D2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G7P03D2CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G7P03D2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G7P03D2
Descripción	MOSFET P-CH -30V 7A 6-WDFN
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 7A (Tc) 1.3W (Tc) 6-DFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20.5mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1900 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-DFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN

Precio unitario sin IVA:	0,45000 €
Precio unitario con IVA:	0,54450 €

G7P03D2