Name: G7K2N20LLE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G7K2N20LLETR-ND
Price: 0.605 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

G7K2N20LLE
N.º de producto de DigiKey	3141-G7K2N20LLETR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G7K2N20LLECT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G7K2N20LLEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G7K2N20LLE
Descripción	N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 2H (Tc) 1.8W (Tc) SOT-23-6L
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 531 pF @ 100 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-6L
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6

Informar Error en la información del producto

Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

En stock: 2.353

Comprobar si hay stock entrante adicional

Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)