Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 1.9118 EUR
Availability: OutOfStock

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G65P06D5
N.º de producto de DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G65P06D5CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G65P06D5
Descripción	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 65H (Tc) 104W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 20A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6138 pF @ 25 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 104W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (4.9x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN