Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

G1K3N10G
N.º de producto de DigiKey	3141-G1K3N10GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G1K3N10G
Descripción	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) SOT-89
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	130mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	644 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-89
Paquete / Caja (carcasa)	TO-243AA

Precio unitario sin IVA:	0,65000 €
Precio unitario con IVA:	0,78650 €

G1K3N10G