Name: G12P10TE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G12P10TE-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

G12P10TE
N.º de producto de DigiKey	3141-G12P10TE-ND
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G12P10TE
Descripción	P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 100 V 12A (Tc) 40W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	200mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

Precio unitario sin IVA:	1,22000 €
Precio unitario con IVA:	1,47620 €

G12P10TE