G12P10K Goford Semiconductor | FET simple, MOSFET

G12P10K
N.º de producto de DigiKey	3141-G12P10KTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G12P10KCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G12P10K
Descripción	P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 12A 57W TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	200mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1720 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)	57W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

G12P10K