Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G120P06MTR-ND
Price: 0.5957 EUR
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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G120P06M
N.º de producto de DigiKey	4822-G120P06MTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G120P06M
Descripción	MOSFET P-CH -60V 120A TO-263-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 120A (Tc) 277W D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.5mOhm a 20A, 10V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	230 nC @ -10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12215 pF @ -30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	277W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB