Name: G090P02S
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G090P02STR-ND
Price: 1.0648 EUR
Availability: InStock

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G090P02S
N.º de producto de DigiKey	3141-G090P02STR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G090P02SCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G090P02SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G090P02S
Descripción	MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 11A (Tc) 3.3W (Tc) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 9mOhm a 1A, 4.5V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 1.1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2225 pF @ 10 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 3.3W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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Cinta y rollo (TR)