Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 3.388 EUR
Availability: InStock

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G080P06M
N.º de producto de DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G080P06M
Descripción	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.5mOhm a 20A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 186 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15870 pF @ 30 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 294W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 195A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB