Canal P Montaje en superficie 4A (Tc) 1.2W (Tc) SOT-223
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G04P10HE

N.º de producto de DigiKey
4822-G04P10HETR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante
G04P10HE
Descripción
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 4A (Tc) 1.2W (Tc) SOT-223
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Goford Semiconductor
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
200mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.8V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja (carcasa)
TO-261-4, TO-261AA
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Cantidad
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2.5000,12479 €311,98 €
15.0000,11618 €1.742,70 €
30.0000,10413 €3.123,90 €
Precio unitario sin IVA:0,12479 €
Precio unitario con IVA:0,15100 €