Name: GD30MPS12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD30MPS12J-TR-ND
Price: 10.8416 EUR
Availability: InStock

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GD30MPS12J-TR
N.º de producto de DigiKey	1242-GD30MPS12J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1242-GD30MPS12J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1242-GD30MPS12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GD30MPS12J-TR
Descripción	DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 1200 V 59A Montaje en superficie TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Serie	SiC Schottky MPS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	1200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	59A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.8 V @ 30 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	20 µA @ 1200 V
Capacitancia según Vr, F	1101pF a 1V, 1MHz
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	-55°C ~ 175°C