EPC2619ENGRT EPC | Productos de semiconductores discretos

EPC2619ENGRT es obsoleto y ya no se fabrica.

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EPC

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Precio por unidad : 3,96000 €

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EPC2619ENGRT
N.º de producto de DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Cinta cortada (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	EPC
Número de pieza del fabricante	EPC2619ENGRT
Descripción	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 29A (Ta) Molde
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	EPC
Serie	eGaN®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.3mOhm a 16A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 5.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1180 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	Molde
Paquete / Caja (carcasa)	Molde