Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.0691 EUR
Availability: InStock

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DI2A2N100D1K
N.º de producto de DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Cinta y rollo (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Cinta cortada (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante	DI2A2N100D1K
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1000 V 2.2A (Tc) 30W (Tc) TO-252 (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DI2A2N100D1K Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diotec Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	510 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63