Name: DI100N10PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI100N10PQ-AQTR-ND
Price: 3.4848 EUR
Availability: InStock

DI100N10PQ-AQ
N.º de producto de DigiKey	4878-DI100N10PQ-AQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 4878-DI100N10PQ-AQCT-ND - Cinta cortada (CT) 4878-DI100N10PQ-AQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante	DI100N10PQ-AQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 80A (Tc) 50W (Tc) 8-QFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DI100N10PQ-AQ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diotec Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3400 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-QFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	2,88000 €
Precio unitario con IVA:	3,48480 €

DI100N10PQ-AQ