
ZXMN2A04DN8TA | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | ZXMN2A04DN8TR-ND - Cinta y rollo (TR) ZXMN2A04DN8CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | ZXMN2A04DN8TA |
Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 20V 5.9A 1.8W Montaje en superficie 8-SO |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 5.9A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 25mOhm a 5.9A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 700mV a 250µA (mín.) | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 22.1nC a 5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1880pF a 10V | |
Potencia - Máx. | 1.8W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,38000 € | 2,38 € |
| 10 | 1,53600 € | 15,36 € |
| 100 | 1,05570 € | 105,57 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | 0,82506 € | 412,53 € |
| 1.000 | 0,76111 € | 761,11 € |
| 1.500 | 0,72854 € | 1.092,81 € |
| 2.500 | 0,70284 € | 1.757,10 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,38000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,87980 € |

