Name: DMTH81M2SPGWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH81M2SPGWQ-13TR-ND
Price: 6.655 EUR
Availability: InStock

DMTH81M2SPGWQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH81M2SPGWQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH81M2SPGWQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH81M2SPGWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH81M2SPGWQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 390A (Tc) 5W (Ta), 417W (Tc) PowerDI8080-5
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	390A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.25mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	171 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10969 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI8080-5
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1235
Número de producto base	DMTH81

Precio unitario sin IVA:	5,50000 €
Precio unitario con IVA:	6,65500 €

DMTH81M2SPGWQ-13