Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.0043 EUR
Availability: InStock

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DMTH8012LPSQ-13
N.º de producto de DigiKey	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH8012LPSQ-13
Descripción	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 72A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2051 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.6W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMTH8012