Name: DMTH8008LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND
Price: 2.0086 EUR
Availability: InStock

DMTH8008LFGQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH8008LFGQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH8008LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH8008LFGQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.9mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	37.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2254 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,44390 €	1.331,70 €
6.000	0,42987 €	2.579,22 €

Precio unitario sin IVA:	1,66000 €
Precio unitario con IVA:	2,00860 €

DMTH8008LFGQ-13