Name: DMTH6016LFDFWQ-7R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LFDFWQ-7RDITR-ND
Price: 1.3794 EUR
Availability: InStock

DMTH6016LFDFWQ-7R
N.º de producto de DigiKey	DMTH6016LFDFWQ-7RDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMTH6016LFDFWQ-7RDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMTH6016LFDFWQ-7RDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH6016LFDFWQ-7R
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.4A (Ta) 1.06W (Ta) U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMTH6016LFDFWQ-7R Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	925 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.06W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMTH6016

Precio unitario sin IVA:	1,14000 €
Precio unitario con IVA:	1,37940 €

DMTH6016LFDFWQ-7R