Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

DMTH6010LPDW-13 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 31-DMTH6010LPDW-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMTH6010LPDW-13 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50 |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 13.1A(Ta), 47.6A(Tc) 2.8W (Ta), 37.5W (Tc) Montaje en superficie PowerDI5060-8 (típico UXD) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 13.1A(Ta), 47.6A(Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 11mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 40.2nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2615pF a 30V | |
Potencia - Máx. | 2.8W (Ta), 37.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-PowerTDFN | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI5060-8 (típico UXD) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,56330 € | 1.408,25 € |
| 5.000 | 0,55428 € | 2.771,40 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,56330 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,68159 € |



