Name: DMTH47M2LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH47M2LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.1737 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH47M2LPSWQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH47M2LPSWQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH47M2LPSWQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH47M2LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH47M2LPSWQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 40 V 73A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) PowerDI5060-8 (típico UX)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	73A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	891 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8 (típico UX)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMTH47

Precio unitario sin IVA:	0,97000 €
Precio unitario con IVA:	1,17370 €

DMTH47M2LPSWQ-13