Name: DMTH10H2M5STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H2M5STLWQ-13TR-ND
Price: 6.0984 EUR
Availability: InStock

DMTH10H2M5STLWQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H2M5STLWQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH10H2M5STLWQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH10H2M5STLWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H2M5STLWQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 215A (Tc) 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) POWERDI1012-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	215A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	124.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8450 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI1012-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	DMTH10

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1.500	1,80735 €	2.711,03 €
3.000	1,78479 €	5.354,37 €

Precio unitario sin IVA:	5,04000 €
Precio unitario con IVA:	6,09840 €

DMTH10H2M5STLWQ-13